বার্তা পাঠান
Wuhan Corrtest Instruments Corp., Ltd.
পণ্য
পণ্য
বাড়ি > পণ্য > একক চ্যানেল পটেনটিস্ট্যাট > উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি 8MHz EIS Potentiostat galvanosatt মডেল CS360

উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি 8MHz EIS Potentiostat galvanosatt মডেল CS360

পণ্যের বিবরণ

উৎপত্তি স্থল: চীন

পরিচিতিমুলক নাম: CorrTest

সাক্ষ্যদান: ISO CE

মডেল নম্বার: CS360

পেমেন্ট ও শিপিংয়ের শর্তাবলী

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: ১টি সেট

প্যাকেজিং বিবরণ: স্ট্যান্ডার্ড কার্টন

ডেলিভারি সময়: ২০ কার্যদিবস

পরিশোধের শর্ত: টি/টি

যোগানের ক্ষমতা: প্রতি বছর 1000

সেরা দাম পান
বিশেষভাবে তুলে ধরা:
উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি 8MHz EIS Potentiostat galvanosatt মডেল CS360

এসইনগল চ্যানেল পটেনসিওস্ট্যাট/গ্যালভানোস্ট্যাটইআইএসের সাথেমডেলসিএস৩60 একটি ডিডিএস স্বতন্ত্র ফাংশন জেনারেটর, একটি পটেনশিয়ালিস্ট / গ্যালভানোস্ট্যাট এবং একটি এফআরএ নিয়ে গঠিত। অন্তর্নির্মিত ডুয়াল ২৪-বিট ডেল্টা-সিগমা এডি কনভার্টারগুলির সাহায্যেএটি চমৎকার স্থিতিশীলতা এবং উচ্চ সম্ভাব্য (1mV) এবং বর্তমান ((1pA) রেজোলিউশন অর্জন করে৮ মেগাহার্টজ পর্যন্ত ইআইএস ফ্রিকোয়েন্সির সাথে, সিএস৩৬০ শক্ত-অবস্থার ইলেক্ট্রোলাইট অধ্যয়নের জন্য একটি আদর্শ হাতিয়ার।

 

সিএস৩৬০ পন্টিওস্ট্যাট এর ব্যবহার

- জ্বালানি উপাদান (সলিড স্টেট ব্যাটারি, লিথিয়াম-আইন ব্যাটারি, সৌর কোষ, জ্বালানী কোষ, সুপার ক্যাপাসিটর ইত্যাদি)

- ইলেক্ট্রোক্যাটালিসিস (এইচইআর, ওইআর, ওআরআর, সিও 2 আরআরআর, এনআরআর, জল বিভাজন)

- ইলেক্ট্রোসিন্থেসিসের প্রতিক্রিয়াশীল প্রক্রিয়া, ইলেক্ট্রোডেপোজিশন (ইলেক্ট্রোপ্লেটিং), অ্যানোডিক অক্সিডেশন, ইলেক্ট্রোলাইসিস

- ধাতব ক্ষয়; ক্ষয় প্রতিরোধক, লেপ এবং ক্যাথোডিক সুরক্ষা দক্ষতা

image001

উচ্চ শক্তি ঘনত্ব, দ্রুত চার্জিং এবং ডিসচার্জিং এবং দীর্ঘ জীবনকালের গুণাবলী সহ, সলিড-স্টেট ব্যাটারিগুলি বৈদ্যুতিক যানবাহন, পরিধানযোগ্য ডিভাইস ইত্যাদিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।অগ্নি প্রতিরোধক এবং ডেনড্রাইট বৃদ্ধির প্রতিরোধইলেকট্রোলাইটগুলি ব্যাটারির নিরাপত্তা বাড়ায়। ইলেকট্রোলাইটগুলি সলিড স্টেট ব্যাটারির পারফরম্যান্স অধ্যয়নের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ কৌশল। এটি চার্জ স্থানান্তর সম্পর্কে তথ্য প্রদান করতে পারে,বৈদ্যুতিক রাসায়নিক বিক্রিয়া, ইত্যাদি বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি অঞ্চলে ইআইএস পরিমাপ করে, উচ্চ-কার্যকারিতা সম্পন্ন সম্পূর্ণ শক্ত-রাজ্যের ব্যাটারির উন্নয়নের জন্য গুরুত্বপূর্ণ তাত্ত্বিক ভিত্তি এবং প্রযুক্তিগত সহায়তা প্রদান করে।

ইআইএস ফ্রিকোয়েন্সি সিএস৩৬০ পন্টিওস্ট্যাট/গ্যালভানোস্ট্যাট/ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশনের জন্য ৮ মেগাহার্টজ পর্যন্ত হতে পারে, যা শক্ত ইলেক্ট্রোলাইটের উপর উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইআইএস পরীক্ষার প্রয়োজন মেটাতে পারে।সলিড ইলেক্ট্রোলাইটের অধ্যয়ন বিশেষ করে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অঞ্চলে প্রতিরোধের আচরণের উপর ফোকাসএটি আমাদের ইলেকট্রনিক ও আইওনিক পরিবাহিতা পরিমাপ করতে সাহায্য করে, উপাদানটির মাইক্রোস্ট্রাকচারাল সমস্যাগুলি খুঁজে বের করে (যেমন গ্রিন বর্ডার ইফেক্ট), এবং এইভাবে উপাদান অপ্টিমাইজেশনের দিকনির্দেশনা প্রদান করে,এবং ব্যাটারি কর্মক্ষমতা উন্নতি.

 

image003

সলিড-স্টেট ব্যাটারি ধারক

image005

ইআইএস পরীক্ষার তরঙ্গরূপ

 

স্পেসিফিকেশন - CS360 পটেনশিয়ালিস্ট

সমর্থন 2-, 3- বা 4-ইলেক্ট্রোড কনফিগারেশন

সর্বাধিক প্রয়োগ করা সম্ভাব্যতাঃ ±10V

সর্বাধিক আউটপুট বর্তমানঃ ±2A

সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণের নির্ভুলতাঃ ০.১%×পুরো পরিসীমা±১ এমভি

বর্তমান নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতাঃ 0.1% × পূর্ণ পরিসীমা

সম্ভাব্য রেজোলিউশনঃ 1μV

বর্তমান সংবেদনশীলতাঃ 1 পিএ

সম্ভাব্য উত্থানের সময়ঃ ≤1μs

রেফারেন্স ইলেক্ট্রোড ইনপুট ইম্পেড্যান্সঃ1013৫ পিএফ

ইনপুট বেস বর্তমানঃ ≤10pA

সম্ভাব্যতা পরিসীমাঃ ±200mV, ±2.5V, ±5V, ±10V, 4টি পরিসীমা

বর্তমান পরিসীমাঃ ±200pA ~ ±2 A, 11 পরিসীমা

সম্মতি ভোল্টেজঃ ±30V

CV এবং LSV স্ক্যান রেটঃ 0.001mV/s~10kV/s

এসি এবং সিসি ইমপলস প্রস্থঃ 0.0001 ~ 65,000s

স্ক্যানের সময় বর্তমান বৃদ্ধিঃ 1mA@1A/ms

স্ক্যানের সময় সম্ভাব্য বৃদ্ধিঃ 0.02mV @ 1V/ms

SWV ফ্রিকোয়েন্সিঃ 0.001~100kHz

ডিপিভি এবং এনপিভি পালস প্রস্থঃ 0.001 ~ 100s

এডি ডেটা সংগ্রহঃ 16bit@1MHz, 20bit @1kHz

ডিএ রেজোলিউশনঃ ২০ বিট

কমপক্ষে ভিভিতে সম্ভাব্য প্রবৃদ্ধিঃ 0.02mV

নিম্ন-পাস ফিল্টারঃ 7 দশক জুড়ে

সম্ভাব্য এবং বর্তমান পরিসীমাঃ ম্যানুয়াল/অটো সুইচ

গ্রাউন্ড মোডঃ ভাসমান, গ্রাউন্ডিং, ZRA সমর্থন করে

যোগাযোগঃ ইউএসবি ২।0, আরজে৪৫ ইথারনেট

অপারেটিং সিস্টেমঃ উইন্ডোজ 10/11

পাওয়ার সাপ্লাইঃ 90~240V এসি 50/60Hz

ওজন / মাত্রাঃ 6.5kg, 36 x 30 x 16 সেমি

EIS (Electrochemical Impedance Spectroscopy)

সিগন্যাল জেনারেটর

ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জঃ 10μHz ~ 8 MHz

এসি ব্যাপ্তিঃ 1mV~2500mV

DC Bias: -10~+10V

ডিডিএস আউটপুট প্রতিবন্ধকতাঃ 50Ω

ফ্রিকোয়েন্সি সঠিকতাঃ 0.1%

সিগন্যাল রেজোলিউশনঃ 0.1mV RMS

তরঙ্গরূপঃ সাইনস তরঙ্গ, ত্রিভুজ তরঙ্গ এবং বর্গাকার তরঙ্গ

তরঙ্গ বিকৃতিঃ <১%

স্ক্যানিং মোডঃ লোগারিথমিক/রেখাযুক্ত, বৃদ্ধি/হ্রাস

সিগন্যাল বিশ্লেষক

ইন্টিগ্রাল টাইমঃ ন্যূনতম:10ms বা একটি চক্রের দীর্ঘতম সময়

সর্বাধিকঃ106চক্র বা 105s

পরিমাপের বিলম্বঃ 0 ~ 105s

ডিসি অফসেট ক্ষতিপূরণ

সম্ভাব্য স্বয়ংক্রিয় ক্ষতিপূরণ পরিসীমাঃ -10V~+10V

বর্তমান ক্ষতিপূরণ পরিসীমাঃ -2A ~ + 2A

ব্যান্ডউইথঃ ৮ দশকের ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ, স্বয়ংক্রিয় এবং ম্যানুয়াল সেটিং

 

কৌশল

স্থিতিশীল মেরুকরণ:

ওপেন সার্কিট সম্ভাব্যতা (ওসিপি)

পন্টিওস্ট্যাটিক (আই-টি কার্ভ)

গ্যালভানোস্ট্যাটিক

সম্ভাব্য গতিবিদ্যা (ট্যাবেল গ্রাফ)

গ্যালভানোডাইনামিক (ডিজিপি)

অস্থায়ী মেরুকরণ:

একাধিক সম্ভাব্য পদক্ষেপ

মাল্টি স্ট্রিম স্টেপ

সম্ভাব্য সিঁড়ি-পদক্ষেপ (ভিএসটিইপি)

গ্যালভানিক স্টেপ-স্টেপ (আইএসটিইপি)

ক্রোনো পদ্ধতি:

ক্রোনোপটেন্টিওমেট্রি (সিপি)

ক্রোনোঅ্যাম্পেরামিটার (সিএ)

ক্রোনোক্যালোমেট্রি (সিসি)

ভোল্টামেট্রি:

লিনিয়ার সুইপ ভোল্টামেট্রি (এলএসভি)

সাইলিক ভোল্টামেট্রি (সিভি)

সিঁড়ি ভোল্টামেট্রি (এসসিভি)

স্কয়ার ওয়েভ ভোল্টামেট্রি (এসডব্লিউভি)

ডিফারেনশিয়াল পলস ভোল্টামেট্রি (ডিপিভি)

নরমাল পলস ভোল্টামেট্রি (এনপিভি)

ডিফারেনশিয়াল নরমাল পলস ভোল্টামেট্রি (ডিএনপিভি)

এসি ভোল্টামেট্রি (এসিভি)

২য় হারমোনিক এসি ভোল্টামেট্রি (SHACV)

ফুরিয়ার ট্রান্সফর্ম এসি ভোল্টামেট্রি (এফটিএসিভি)

ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ইম্পেড্যান্স স্পেকট্রোস্কোপি:

Potentiostatic EIS (নিকিস্ট, বোড)

গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস

পটেনশিয়ালিস্ট্যাটিক ইআইএস (বিকল্প ফ্রিকোয়েন্সি)

গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস ((বিকল্প ফ্রিকোয়েন্সি)

মট-শটকি

পোটেনশিয়োস্ট্যাটিক ইআইএস বনাম টাইম (একক ফ্রিকোয়েন্সি)

গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস বনাম সময় (একক ফ্রিকোয়েন্সি)

ক্ষয় পরিমাপ:

চক্রীয় মেরুকরণ বক্ররেখা (সিপিপি)

লিনিয়ার পোলারাইজেশন কার্ভ (এলপিআর)

ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল পোটেনশিয়োকিনেটিক রিঅ্যাক্টিভেশন (ইপিআর)

ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল গোলমাল (E)সিN)

শূন্য প্রতিরোধের Ammeter (ZRA)

ব্যাটারি পরীক্ষানং:

ব্যাটারি চার্জ এবং ডিসচার্জ

গ্যালভানোস্ট্যাটিক চার্জ এবং ডিসচার্জ (জিসিডি)

পটেনশিয়ালিস্ট্যাটিক চার্জিং অ্যান্ড ডিসচার্জিং (পিসিডি)

পোট্যান্টোস্ট্যাটিক ইন্টারমিটেন্ট টাইট্রেশন টেকনিক (পিআইটিটি)

গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইন্টারমিটেন্ট টাইট্রেশন টেকনিক (জিআইটিটি)

এম্পেরোমেট্রিক:

ডিফারেনশিয়াল পলস এম্পেরোমেট্রি (ডিপিএ)

ডাবল ডিফারেনশিয়াল ইমপ্লাস এম্পেরোমেট্রি (ডিডিপিএ)

ট্রিপল পলস এম্পেরোমেট্রি (টিপিএ)

ইন্টিগ্রেটেড পলস এম্পেরোমেট্রিক ডিটেকশন (আইপিএডি)

স্ট্রিপিং ভোল্টামেট্রি:

পন্টিওস্ট্যাটিক স্ট্রিপিং,

লিনিয়ার স্ট্রিপিং, স্টেপ স্ট্রিপিং

স্কয়ার ওয়েভ স্ট্রিপিং

ডিফারেনশিয়াল পলস ভোল্টামেট্রি স্ট্রিপিং

স্বাভাবিক পালস ভোল্টামেট্রি স্ট্রিপিং

ডিফারেনশিয়াল নরমাল পলস ভোল্টামেট্রি স্ট্রিপিং

সম্প্রসারণ:

ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল স্ট্রিপিং/ডেপজিশন

কুলোমেট্রি (বিই) দিয়ে বাল্ক ইলেক্ট্রোলাইসিস

Rs পরিমাপ

 
অনুরূপ পণ্য