বিশেষভাবে তুলে ধরা:
সর্বাধিক বর্তমান: |
±5A |
বর্তমান ব্যাপ্তি: |
± 2na ～ ± 5 এ |
প্রয়োগ সম্ভাবনা: |
±10 ভি |
EIS ফ্রিক। পরিসীমা: |
10μHz~1MHz |
সম্ভাব্য নির্ভুলতা: |
পরিসীমা 0.1% |
বর্তমান নির্ভুলতা: |
পরিসীমা 0.1% |
সম্ভাব্য সমাধান: |
1μV |
বর্তমান রেজোলিউশন: |
1 পিএ |
শক্তি: |
90-240V এসি, 50/60Hz |
কমপ্লায়েন্স ভোল্টেজ: |
±18 ভি |
কম্পিউটারের ওএস: |
উইন্ডোজ 10 বা তার বেশি |
কৌশল: |
ইআইএস, সিভি, এলএসভি, সিপি, সিএ, ওসিপি, জিসিডি, তাফেল, আইটি, ইটি ইত্যাদি |
ইআইএস মডেল সিএস১৩৫০প্রো (৫এ) সহ একক চ্যানেলের পন্টিওস্ট্যাট/গ্যালভানোস্ট্যাট
এক-চ্যানেলের পটেনশিয়ালিস্ট/গ্যালভানোলিস্টইআইএসের সাথেমডেলসি এস1350proএকটি ডিডিএস স্বতন্ত্র ফাংশন জেনারেটর, একটি পটেনসিওস্ট্যাট/গালভানোস্ট্যাট এবং একটি এফআরএ দিয়ে গঠিত।এটি চমৎকার স্থিতিশীলতা এবং উচ্চ সম্ভাব্য (1mV) এবং বর্তমান ((1pA) রেজোলিউশন অর্জন করে. 40+ ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল কৌশলগুলির সাথে, CS1350pro ব্যাপকভাবে ক্ষয়, শক্তি, উপাদান এবং বিশ্লেষণ ইলেক্ট্রোকেমিস্ট্রিতে প্রয়োগ করা হয়েছে।
CS1350 প্রোএটি প্রচলিত একক চ্যানেলের ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশন CS350M এর একটি আপগ্রেড সংস্করণ যা দুর্দান্ত স্থিতিশীলতা এবং নির্ভুলতা, উন্নত হার্ডওয়্যার এবং সম্পূর্ণ কার্যকরী সফ্টওয়্যার সহ।সর্বাধিক বর্তমান ±5A পর্যন্ত হতে পারে (কোনও বুস্টার ছাড়াই).
অ্যাপ্লিকেশন
- শক্তির উপাদান (লিথিয়াম-আইন ব্যাটারি, সৌর কোষ, জ্বালানী কোষ, সুপার ক্যাপাসিটর ইত্যাদি);
- ইলেক্ট্রোসিনথেসিস, ইলেক্ট্রোডেপোজিশন (ইলেক্ট্রোপ্লেটিং), অ্যানোডিক অক্সিডেশন, ইলেক্ট্রোলাইসিসের প্রতিক্রিয়াশীল প্রক্রিয়া;
- ধাতব ক্ষয়; ক্ষয় প্রতিরোধক, লেপ এবং ক্যাথোডিক সুরক্ষা দক্ষতা;
- ইলেক্ট্রোক্যাটালিসিস (HER, OER, ORR, CO)2RR, NRR, জল বিভাজন) ।
| বিশেষ উল্লেখ |
| সমর্থন 2-, 3- বা 4-ইলেক্ট্রোড সিস্টেম |
| সর্বাধিক বর্তমানঃ ±5A | সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণ পরিসীমাঃ ±10V |
| বর্তমান নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতাঃ 0.1% × পূর্ণ পরিসীমা | সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণের নির্ভুলতাঃ ০.১%×পুরো পরিসীমা±১ এমভি |
| বর্তমান সংবেদনশীলতাঃ 1 পিএ | সম্ভাব্য রেজোলিউশনঃ 1μV |
| উত্থান সময়ঃ <১μs (<১০mA), <১০μs (<২A) | রেফারেন্স ইলেক্ট্রোড ইনপুট ইম্পেড্যান্সঃ1013ওয়ারেন্টি 5pF |
| বর্তমান পরিসীমাঃ 2nA ~ 5A, 10 পরিসীমা | সম্ভাব্যতা পরিসীমাঃ ±200mV, ±2V, ±5V, ±10V, 4 পরিসীমা |
| সম্মতি ভোল্টেজঃ ± 18V | সিভি এবং এলএসভি স্ক্যান রেটঃ 0.001mV~10kV/s |
| এসি এবং সিসি ইমপলস প্রস্থঃ 0.0001 ~ 65,000s | স্ক্যানের সময় বর্তমান বৃদ্ধিঃ 1mA@1A/ms |
| স্ক্যানের সময় সম্ভাব্য বৃদ্ধিঃ 0.02mV @ 1V/mS | SWV ফ্রিকোয়েন্সিঃ 0.001~100 kHz |
| ডিপিভি এবং এনপিভি পালস প্রস্থঃ 0.001 ~ 100s | এডি ডেটা সংগ্রহঃ ১৬ বিট@১ মেগাহার্জ, ২০ বিট@১ কিলহার্জ |
| ডিএ রেজোলিউশনঃ ২০ বিট | সিভিতে ন্যূনতম সম্ভাব্য বৃদ্ধিঃ ০.০২ এমভি |
| বর্তমান / সম্ভাব্য পরিসীমাঃ অটো / ম্যানুয়াল | নিম্ন-পাস ফিল্টারঃ 7 দশক জুড়ে |
| গ্রাউন্ড মোডঃ ভাসমান / গ্রাউন্ডিং, সমর্থন ZRA | ইন্টারফেসঃ ইথারনেট এবং ইউএসবি |
| অপারেটিং সিস্টেমঃ উইন্ডোজ 10/11 | পাওয়ার সাপ্লাইঃ 90 ~ 240V এসি, 50/60Hz |
| ওজন / পরিমাপঃ 6.5kg, 36 x 30 x 16 সেমি |
| EIS (Electrochemical Impedance Spectroscopy) |
| সিগন্যাল জেনারেটর |
| ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমাঃ 10 μHz ~ 1 MHz | সিগন্যাল রেজোলিউশনঃ0.1 এমভি আরএমএস |
| ফ্রিকোয়েন্সি সঠিকতাঃ 0.1% | এসি ব্যাপ্তি:1mV~2500mV |
| DC Bias: -10~+10V | আউটপুট প্রতিবন্ধকতাঃ 50Ω |
| তরঙ্গরূপঃ সাইনস তরঙ্গ, ত্রিভুজ তরঙ্গ এবং বর্গাকার তরঙ্গ | তরঙ্গ বিকৃতিঃ <১% |
| স্ক্যানিং মোডঃ লোগারিথমিক/রেখাযুক্ত, বৃদ্ধি/হ্রাস |
| সিগন্যাল বিশ্লেষক |
| ইন্টিগ্রাল টাইমঃ ন্যূনতম:10ms বা একটি চক্রের দীর্ঘতম সময় | সর্বাধিকঃ106চক্র বা 105s |
| পরিমাপের বিলম্বঃ 0 ~ 105s |
| ডিসি অফসেট ক্ষতিপূরণ |
| সম্ভাব্য স্বয়ংক্রিয় ক্ষতিপূরণ পরিসীমাঃ -10V~+10V | বর্তমান ক্ষতিপূরণ পরিসীমাঃ -2A ~ + 2A |
| ব্যান্ডউইথঃ ৮ দশকের ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ, স্বয়ংক্রিয় এবং ম্যানুয়াল সেটিং |
প্রযুক্তি - CS1350pro
স্থিতিশীল মেরুকরণ
ওপেন সার্কিট সম্ভাব্যতা (ওসিপি), সম্ভাব্যতা (আই-টি বক্ররেখা), গ্যালভানোস্ট্যাটিক, সম্ভাব্যতা (ট্যাবেল গ্রাফ), গ্যালভানোডাইনামিক (ডিজিপি)
ক্ষণস্থায়ী মেরুকরণ
মাল্টি পটেনশিয়াল স্টেপ, মাল্টি স্ট্রিম স্টেপ, পটেনশিয়াল স্টেপ-স্টেপ (ভিএসটিইপি), গ্যালভানিক স্টেপ-স্টেপ (আইএসটিইপি)
ক্রোনো পদ্ধতি
ক্রোনোপটেন্টিওমেট্রি (সিপি), ক্রোনোঅ্যাম্পেরামেট্রি (সিএ), ক্রোনোক্যালোমেট্রি (সিসি)
ভোল্টামেট্রি
লিনিয়ার সুইপ ভোল্টামেট্রি (এলএসভি), সাইলিক ভোল্টামেট্রি (সিভি), স্টেপ ভোল্টামেট্রি (এসসিভি), স্কয়ার ওয়েভ ভোল্টামেট্রি (এসডাব্লুভি), ডিফারেনশিয়াল পলস ভোল্টামেট্রি (ডিপিভি), নরমাল পলস ভোল্টামেট্রি (এনপিভি),ডিফারেনশিয়াল নরমাল পলস ভোল্টামেট্রি (ডিএনপিভি), এসি ভোল্টামেট্রি (এসিভি), ২য় হারমোনিক এসি ভোল্টামেট্রি (এসএইচএসিভি), ফুরিয়ার ট্রান্সফর্ম এসি ভোল্টামেট্রি (এফটিএসিভি)
ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ইম্পেড্যান্স স্পেকট্রোস্কোপি
পটেনশিয়োস্ট্যাটিক ইআইএস (নিকিস্ট, বোড), গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস, পটেনশিয়োস্ট্যাটিক ইআইএস (বিকল্প ফ্রিকোয়েন্সি), গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস ((বিকল্প ফ্রিকোয়েন্সি), মট-শটকি, পটেনশিয়োস্ট্যাটিক ইআইএস বনাম সময় (একক ফ্রিকোয়েন্সি),গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস বনাম. সময় (একক ফ্রিকোয়েন্সি)
ক্ষয় পরিমাপ
সাইক্লিক পোলারাইজেশন কার্ভ (সিপিপি), লিনিয়ার পোলারাইজেশন কার্ভ (এলপিআর), ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল পোটেনশিয়োকিনেটিক পুনরায় সক্রিয়করণ (ইপিআর), ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল গোলমাল (ইএন), শূন্য প্রতিরোধ এম্পমিটার (জেডআরএ)
ব্যাটারি পরীক্ষা
ব্যাটারি চার্জ এবং ডিসচার্জ, গ্যালভানোস্ট্যাটিক চার্জ এবং ডিসচার্জ (জিসিডি), পন্টিওস্ট্যাটিক চার্জিং এবং ডিসচার্জিং (পিসিডি), পন্টিওস্ট্যাটিক ইন্টারমিটেন্ট টাইট্রেশন টেকনিক (পিআইটিটি),গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইন্টারমিটেন্ট টাইট্রেশন টেকনিক (জিআইটিটি)
এম্পেরোমেট্রিক
ডিফারেনশিয়াল পলস এম্পেরোমেট্রি (ডিপিএ),ডাবল ডিফারেনশিয়াল পলস এম্পেরোমেট্রি (ডিডিপিএ),ট্রিপল পলস এম্পেরোমেট্রি (টিপিএ),ইন্টিগ্রেটেড পলস এম্পেরোমেট্রিক ডিটেকশন (আইপিএডি)
স্ট্রিপিং ভোল্টামেট্রি
পটেনশিয়ালিস্ট্যাটিক স্ট্রিপিং, লিনিয়ার স্ট্রিপিং, স্টেপ স্ট্রিপিং, স্কয়ার ওয়েভ স্ট্রিপিং, ডিফারেনশিয়াল পলস ভোল্টামেট্রি স্ট্রিপিং, নরমাল পলস ভোল্টামেট্রি স্ট্রিপিং,ডিফারেনশিয়াল নরমাল পলস ভোল্টামেট্রি স্ট্রিপিং
সম্প্রসারণ
ডেটা লগার, ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল স্ট্রিপিং/ডিপোজিশন, কুলোমেট্রি (বিই) দিয়ে বাল্ক ইলেক্ট্রোলাইসিস, Rs পরিমাপ
আপনার বার্তাটি 20-3,000 টির মধ্যে হতে হবে!
