পণ্যের বিবরণ
উৎপত্তি স্থল: উহান, চীন
পরিচিতিমুলক নাম: Corrtest
সাক্ষ্যদান: CE, ISO9001
মডেল নম্বার: CS2350M
পেমেন্ট ও শিপিংয়ের শর্তাবলী
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: 1SET
মূল্য: আলোচনা সাপেক্ষে
প্যাকেজিং বিবরণ: স্ট্যান্ডার্ড বক্স
ডেলিভারি সময়: ৫-১০ কার্যদিবস
পরিশোধের শর্ত: টি/টি, ডি/পি
যোগানের ক্ষমতা: 1000সেট/বছর
নাম: |
Potentiostat গ্যালভানোস্ট্যাট |
সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণ পরিসীমা: |
±10V |
বর্তমান নিয়ন্ত্রণ পরিসীমা: |
±2A |
সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতা: |
0.1%×পূর্ণ পরিসীমা±1mV |
বর্তমান নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতা: |
0.1% × সম্পূর্ণ পরিসীমা |
সম্ভাব্য সমাধান: |
10μV (>100Hz), 3μV (<10Hz) |
বর্তমান সংবেদনশীলতা: |
1Pa |
উঠার সময়: |
1μs (<10mA), <10μs (<2A) |
রেফারেন্স ইলেক্ট্রোড ইনপুট প্রতিবন্ধকতা: |
1012Ω||20pF |
নাম: |
Potentiostat গ্যালভানোস্ট্যাট |
সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণ পরিসীমা: |
±10V |
বর্তমান নিয়ন্ত্রণ পরিসীমা: |
±2A |
সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতা: |
0.1%×পূর্ণ পরিসীমা±1mV |
বর্তমান নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতা: |
0.1% × সম্পূর্ণ পরিসীমা |
সম্ভাব্য সমাধান: |
10μV (>100Hz), 3μV (<10Hz) |
বর্তমান সংবেদনশীলতা: |
1Pa |
উঠার সময়: |
1μs (<10mA), <10μs (<2A) |
রেফারেন্স ইলেক্ট্রোড ইনপুট প্রতিবন্ধকতা: |
1012Ω||20pF |
ব্যাটারি টেস্টিং Potentiostat Galvanostat
ব্যাটারি পরীক্ষার জন্য পন্টিওস্ট্যাট গ্যালভানস্ট্যাটএতে রয়েছে ডিডিএস স্বতন্ত্র ফাংশন জেনারেটর, উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন পটেনসিওস্ট্যাট এবং গ্যালভানোস্ট্যাট, ডুয়াল-চ্যানেল কোরেলেশন বিশ্লেষক,ডুয়াল-চ্যানেল হাই-স্পিড ১৬-বিট/উচ্চ-নির্ভুলতা ২৪-বিট এডি কনভার্টার এবং এক্সটেনশন ইন্টারফেসসর্বাধিক বর্তমান ±2A, সম্ভাব্য পরিসীমা ±10V। EIS ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা 10uHz ~ 1MHz।ব্যাটারি পরীক্ষার জন্য পন্টিওস্ট্যাট গ্যালভানস্ট্যাটব্যাটারি পরীক্ষার জন্য চমৎকার হার্ডওয়্যার এবং বহুমুখী সফটওয়্যার রয়েছে। এতে চক্রীয় ভোল্টামেট্রি, এলএসভি, গ্যালভানোস্ট্যাটিক চার্জ এবং ডিসচার্জ, ইআইএস, জিআইপিপি, পিআইটিটি ইত্যাদি সম্পূর্ণ কৌশল অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।ব্যাটারি পরীক্ষার জন্য পন্টিওস্ট্যাট গ্যালভানস্ট্যাটনা শুধুমাত্র করতে পারেনএটি শক্তি এবং ব্যাটারি পরীক্ষার জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে, তবে ক্ষয়, ইলেক্ট্রোক্যাটালিসিস, সেন্সর, ইলেক্ট্রোঅ্যানালিসিস ইত্যাদির জন্যও ব্যবহার করা যেতে পারে। বর্তমানকে একটি বর্তমান বুস্টার CS2020B / CS2040B দিয়ে 20A / 40A পর্যন্ত বাড়ানো যেতে পারে।আমরা এছাড়াও multichannel potentiostats মডেল CS310X আছে যা এছাড়াও ব্যাপকভাবে ব্যাটারি পরীক্ষার জন্য ব্যবহৃত হয়.
● জ্বালানি উপকরণ (লি-আইন ব্যাটারি, সৌর কোষ, জ্বালানী কোষ, সুপার ক্যাপাসিটর), উন্নত কার্যকরী উপকরণ অধ্যয়ন
● ইলেক্ট্রোক্যাটালিসিস (এইচইআর, ওইআর, ওআরআর, সিও২আরআর, এনআরআর)
● ধাতুগুলির ক্ষয় প্রতিরোধের গবেষণা এবং মূল্যায়ন; ক্ষয় প্রতিরোধক, লেপ এবং ক্যাথোডিক সুরক্ষা কার্যকারিতা দ্রুত মূল্যায়ন
● ইলেক্ট্রোসিন্থেসিস, ইলেক্ট্রোপ্লেটিং/ইলেক্ট্রোডেপোজিশন, অ্যানোড অক্সাইডেশন, ইলেক্ট্রোলাইসিস
|
বিশেষ উল্লেখব্যাটারি টেস্টিং পন্টিসিওস্ট্যাট গ্যালভানোস্ট্যাট (এক-চ্যানেল) |
|
|
সমর্থন 2-, 3- বা 4-ইলেক্ট্রোড সিস্টেম |
সম্ভাব্য এবং বর্তমান পরিসীমাঃ স্বয়ংক্রিয় |
|
সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণ পরিসীমাঃ ±10V |
বর্তমান নিয়ন্ত্রণ পরিসীমাঃ ±2A |
|
সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণের নির্ভুলতাঃ ০.১%×পুরো পরিসীমা±১ এমভি |
বর্তমান নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতাঃ 0.1% × পূর্ণ পরিসীমা |
|
সম্ভাব্য রেজোলিউশনঃ 10μV (>100Hz),3μV (<10Hz) |
বর্তমান সংবেদনশীলতাঃ 1 পিএ |
|
উত্থান সময়ঃ <১μs (<১০mA), <১০μs (<২A) |
রেফারেন্স ইলেক্ট্রোড ইনপুট ইম্পেড্যান্সঃ101220 পিএফ |
|
বর্তমান পরিসীমাঃ 2nA ~ 2A, 10 পরিসীমা |
সম্মতি ভোল্টেজঃ ±21V |
|
সর্বাধিক আউটপুট বর্তমানঃ 2A |
CV এবং LSV স্ক্যান রেটঃ 0.001mV~10,000V/s |
|
এসি এবং সিসি ইমপলস প্রস্থঃ 0.0001 ~ 65,000s |
স্ক্যানের সময় বর্তমান বৃদ্ধিঃ 1mA@1A/ms |
|
স্ক্যানের সময় সম্ভাব্য বৃদ্ধিঃ 0.076mV@1V/ms |
SWV ফ্রিকোয়েন্সিঃ 0.001~100 kHz |
|
ডিপিভি এবং এনপিভি পালস প্রস্থঃ ০.০০০১-১০০০ সেকেন্ড |
এডি ডেটা সংগ্রহঃ ১৬ বিট@১ মেগাহার্জ, ২০ বিট@১ কিলহার্জ |
|
ডিএ রেজোলিউশনঃ ১৬ বিট, সেটআপ সময়ঃ ১ মাইক্রো সেকেন্ড |
কমপক্ষে ভিভিতে সম্ভাব্য বৃদ্ধিঃ ০.০৭৫ এমভি |
|
আইএমপি ফ্রিকোয়েন্সিঃ 10μHz~1MHz |
নিম্ন-পাস ফিল্টারঃ 8 দশক জুড়ে |
|
অপারেটিং সিস্টেমঃ উইন্ডোজ 10/11 |
ইন্টারফেসঃ ইউএসবি ২।0 |
|
ওজন / পরিমাপঃ 6.5kg, 36.5 x 30.5 x 16 সেমি |
|
|
EIS (Electrochemical Impedance Spectroscopy) |
|
|
সিগন্যাল জেনারেটর |
|
|
ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা:10μHz~1MHz |
এসি ব্যাপ্তি:1mV~2500mV |
|
DC Bias: -10~+10V |
আউটপুট প্রতিবন্ধকতাঃ 50Ω |
|
তরঙ্গরূপঃ সাইনস তরঙ্গ, ত্রিভুজ তরঙ্গ এবং বর্গাকার তরঙ্গ |
তরঙ্গ বিকৃতিঃ <১% |
|
স্ক্যানিং মোডঃ লোগারিথমিক/রেখাযুক্ত, বৃদ্ধি/হ্রাস |
|
|
সিগন্যাল বিশ্লেষক |
|
|
ইন্টিগ্রাল টাইমঃ ন্যূনতম:10ms বা একটি চক্রের দীর্ঘতম সময় |
সর্বাধিকঃ106চক্র বা 105s |
|
পরিমাপের বিলম্বঃ 0 ~ 105s |
|
|
ডিসি অফসেট ক্ষতিপূরণ |
|
|
সম্ভাব্য স্বয়ংক্রিয় ক্ষতিপূরণ পরিসীমাঃ -10V~+10V |
বর্তমান ক্ষতিপূরণ পরিসীমাঃ -1A ~ + 1A |
|
ব্যান্ডউইথঃ ৮ দশকের ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ, স্বয়ংক্রিয় এবং ম্যানুয়াল সেটিং |
|
মডেল সিএস৩৫০এম এবং সিএস৩১০এম ব্যাটারি পরীক্ষায় ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় কারণ তাদের উভয়ের মধ্যে ইআইএস এবং ব্যাটারি পরীক্ষায় ব্যবহৃত অন্যান্য সমস্ত কৌশল যেমন সিভি, জিসিডি ইত্যাদি অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।তারা সুপার ক্যাপাসিটর জন্য আদর্শ টুল, লিথিয়াম-আয়ন ব্যাটারি পরীক্ষা, জ্বালানী সেল ইত্যাদি।
| মডেল | CS310M | CS350M | |
| কৌশল | ইআইএসের সাথে | ||
| স্থিতিশীল পোলারাইজেশন |
ওপেন সার্কিট সম্ভাব্যতা (ওসিপি) | ● | ● |
| সম্ভাব্যতা (আই-টি কার্ভ) | ● | ● | |
| গ্যালভানোস্ট্যাটিক ((E-t কার্ভ) | ● | ● | |
| Potentiodynamic ((টেবিল) | ● | ● | |
| গ্যালভানোডাইনামিক | ● | ● | |
| ক্ষণস্থায়ী পোলারাইজেশন |
একাধিক সম্ভাব্য পদক্ষেপ | ● | ● |
| মাল্টি-করেন্ট স্টেপ | ● | ● | |
| সম্ভাব্য সিঁড়ি-পদক্ষেপ (ভিএসটিইপি) | ● | ● | |
| গ্যালভানিক স্টেপ-স্টেপ (আইএসটিইপি) | ● | ● | |
| ক্রোনো পদ্ধতি |
ক্রোনোপটেন্টিওমেট্রি (সিপি) | ● | ● |
| ক্রোনোঅ্যাম্পেরোমিট্রি (সিএ) | ● | ● | |
| ক্রোনোকুলোমেট্রি (সিসি) | ● | ● | |
| ভোল্টামেট্রি | চক্রীয় ভোল্টামেট্রি (সিভি) | ● | ● |
| লিনিয়ার সুইপ ভোল্টামেট্রি (এলএসভি) ((আই-ভি কার্ভ) | ● | ● | |
| সিঁড়ি ভোল্টামেট্রি (এসসিভি) # | ● | ||
| বর্গক্ষেত্র তরঙ্গ ভোল্টামেট্রি (SWV) # | ● | ||
| ডিফারেনশিয়াল পলস ভোল্টামেট্রি (ডিপিভি) # | ● | ||
| নরমাল পলস ভোল্টামেট্রি (এনপিভি) # | ● | ||
| ডিফারেনশিয়াল নরমাল পলস ভোল্টামেট্রি (ডিএনপিভি) # | ● | ||
| এসি ভোল্টামেট্রি (এসিভি) # | ● | ||
| ২য় হারমোনিক এসি ভোল্টামেট্রি (SHACV) | ● | ||
| ব্যাটারি পরীক্ষা | ব্যাটারি চার্জ এবং নিষ্কাশন | ● | ● |
| গ্যালভানোস্ট্যাটিক চার্জ এবং ডিসচার্জ (জিসিডি) | ● | ● | |
| পটেনশিয়ালিস্ট্যাটিক চার্জিং এবং ডিসচার্জিং (PCD) | ● | ● | |
| পন্টিওস্ট্যাটিক ইন্টারমিটেন্ট টাইট্রেশন টেকনিক (PITT) | ● | ● | |
| গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইন্টারমিটেন্ট টাইট্রেশন টেকনিক (জিআইটিটি) | ● | ● | |
| ইআইএস /ইম্পেড্যান্স |
Potentiostatic EIS (নিকিস্ট, বোড) | ● | ● |
| গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস | ● | ● | |
| পটেনশিয়ালিস্ট্যাটিক ইআইএস (বিকল্প ফ্রিকোয়েন্সি) | ● | ● | |
| গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস ((বিকল্প ফ্রিকোয়েন্সি) | ● | ● | |
| মট-শটকি | ● | ● | |
| পোটেনশিয়োস্ট্যাটিক ইআইএস বনাম টাইম (একক ফ্রিকোয়েন্সি) | ● | ● | |
| গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস বনাম সময় (একক ফ্রিকোয়েন্সি) | ● | ● | |
| ক্ষয় পরিমাপ |
চক্রীয় মেরুকরণ বক্ররেখা (সিপিপি) | ● | ● |
| সম্ভাব্য গতিবিদ্যা (টেবিল) | ● | ● | |
| লিনিয়ার পোলারাইজেশন কার্ভ (এলপিআর) | ● | ● | |
| ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল পন্টিওকিনেটিক পুনরায় সক্রিয়করণ | ● | ● | |
| ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল গোলমাল (ইসিএন) | ● | ● | |
| শূন্য প্রতিরোধের Ammeter (ZRA) | ● | ● | |
| এম্পেরোমিট্রি | ডিফারেনশিয়াল পলস এম্পেরোমেট্রি (ডিপিএ) | ● | |
| ডাবল ডিফারেনশিয়াল ইমপ্লাস এম্পেরোমেট্রি (ডিডিপিএ) | ● | ||
| ট্রিপল পলস এম্পেরোমেট্রি (টিপিএ) | ● | ||
| ইন্টিগ্রেটেড পলস এম্পেরোমেট্রিক ডিটেকশন (আইপিএডি) | ● | ||
ইনার্জি&ব্যাটারি
LSV, CV, গ্যালভানোস্ট্যাটিক চার্জ এবং ডিসচার্জ (জিসিডি), ক্রমাগত সম্ভাব্য / বর্তমান EIS এবং সুনির্দিষ্ট আইআর ক্ষতিপূরণ সার্কিটের কৌশলগুলির সাথে, সুপারক্যাপাসিটরগুলিতে কর্টস্ট পন্টিওস্ট্যাটগুলি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়,লিথিয়াম-আয়ন ব্যাটারি, সোডিয়াম-আয়ন ব্যাটারি, ফুয়েল সেল, লি-এস ব্যাটারি, সোলার সেল, সলিড-স্টেট ব্যাটারি, ফ্লো ব্যাটারি, মেটাল-এয়ার ব্যাটারি ইত্যাদি।এটি শক্তি ও উপাদান গবেষকদের জন্য একটি চমৎকার বৈজ্ঞানিক হাতিয়ার।.
০.৫ মোল/লিটার H2SO4 দ্রবণে PPy সুপারক্যাপাসিটরের CV বক্ররেখা
সাইক্লিক ভোল্টামেট্রিঃসিএস স্টুডিও সফটওয়্যার ব্যবহারকারীদের একটি বহুমুখী মসৃণতা প্রদান করেপার্থক্য/সমন্বয়কিট, যা শিখর উচ্চতা, শিখর এলাকা এবং CV বাঁক শিখর সম্ভাব্য গণনা সম্পন্ন করতে পারেন। CV কৌশল, তথ্য বিশ্লেষণের সময়, প্রদর্শনের জন্য সঠিক চক্র (((s) নির্বাচন করার ফাংশন আছে।
ব্যাটারি পরীক্ষা এবং বিশ্লেষণঃ
চার্জ ও ডিসচার্জ দক্ষতা, ক্ষমতা, নির্দিষ্ট ক্ষমতা, চার্জ ও ডিসচার্জ শক্তি।
ইআইএস বিশ্লেষণঃবোড, নাইকিস্ট, মট-স্কটকি প্লট
ইআইএস ডেটা বিশ্লেষণের সময়, কাস্টম সমতুল্য সার্কিট আঁকার জন্য অন্তর্নির্মিত ফিটিং ফাংশন রয়েছে।
এর কিছুউচ্চ IF pপ্রকাশিত কাগজuগান কর্টেস্টপটেনশিয়ালিস্ট গ্যালভানস্ট্যাটব্যাটারিপরীক্ষা
লিথিয়াম-আয়ন ব্যাটারি
হাই এনার্জি এবং পাওয়ার ডেনসিটি লিথিয়াম-আইন ব্যাটারির জন্য সিঙ্ক্রোসিস্টিক টিও 2 -এমও 3 কোর শেল ন্যানোওয়্যার অ্যারে অ্যানোডের উত্পাদন এবং শেল অপ্টিমাইজেশন
উন্নত কার্যকরী উপাদান DOI: 10.1002/adfm।201500634
উচ্চ স্থিতিশীল অ-জ্বলন্ত ইলেক্ট্রোলাইট যা সমস্ত জলবায়ু এবং নিরাপদ লিথিয়াম-আয়ন ব্যাটারির জন্য সমন্বয়-সংখ্যা নিয়ম দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়
শক্তি সঞ্চয়কারী উপাদানhttps://doi.org/10.1016/j.ensm2022.12.044
Li10GeP2S12 ভিত্তিক সলিড-স্টেট ব্যাটারিতে Li4Ti5O12 অ্যানোডের চমৎকার কর্মক্ষমতা অর্জনের জন্য অনুকূল ইন্টারফেস গতিবিদ্যা বাড়ানোর জন্য সোলভেট আয়নিক তরল
রাসায়নিক প্রকৌশল জার্নালhttps://doi.org/10.1016/j.cej.2019.123046
সুপার ক্যাপাসিটর
ক্যাটিওনিক/আয়নিক রঙ্গক এবং সুপারক্যাপাসিটর অ্যাপ্লিকেশনের উচ্চতর অ্যাডসর্পশন পারফরম্যান্সের জন্য প্রচুর পরিমাণে ক্যালান্ট্রো থেকে প্রাপ্ত উচ্চ পৃষ্ঠতল সক্রিয় কার্বন (এসি)
রাসায়নিক প্রকৌশল জার্নালhttps://doi.org/10.1016/j.cej.2023.141577
ফাইবার-আকৃতির অ্যামোনিয়াম-আয়ন এসিমেট্রিক সুপারক্যাপাসিটরগুলির জন্য দক্ষ ছদ্ম-ক্যাপাসিটিভ অ্যানোড হিসাবে এমওএস 2 ন্যানোশিটগুলির অ্যারেযুক্ত হেটারোস্ট্রাকচার অ্যাঙ্করড টিআইএন ন্যানোওয়্যার
এসিএস ন্যানোhttps://doi.org/10.1021/acsnano.2c05905
নিরাপদ এবং স্মার্ট শক্তি সঞ্চয় করার জন্য উচ্চ-কার্যকারিতা সম্পন্ন সমস্ত অজৈব বহনযোগ্য ইলেক্ট্রোক্রোমিক লিথিয়াম-আয়ন হাইব্রিড সুপারক্যাপাসিটর
শক্তি সঞ্চয়কারী উপাদানhttps://doi.org/10.1016/j.ensm2020.08.023
২.৪ ভোল্ট অতি উচ্চ ভোল্টেজ জলীয় সুপারক্যাপাসিটরগুলির জন্য নিম মিনো ও ন্যানো প্রিজম অ্যারেগুলির দিকে একটি নতুন ফেজ-ট্রান্সফর্মেশন অ্যাক্টিভেশন প্রক্রিয়া
উন্নত উপাদানhttps://doi.org/10.1002/adma।201703463
হাই সুপার ক্যাপাসিটর পারফরম্যান্সের জন্য একটি কোপলিমার থেকে প্রাপ্ত নাইট্রোজেন-ডোপেড সক্রিয় কার্বন
জার্নাল অব ম্যাটারিয়াল কেমিস্ট্রি এ ডব্লিউওআইঃ ১০.১০৩৯/সি৪টা০১২১৫এ
উচ্চ পরিবেশগত উপযুক্ততার সাথে নমনীয় সলিড-স্টেট ক্ষারীয় ব্যাটারি-সুপারক্যাপাসিটর হাইব্রিড ডিভাইসের জন্য কার্বন-স্থিতিশীল উচ্চ ক্ষমতাযুক্ত ফেরোফেরিক অক্সাইড ন্যানোরোড অ্যারে
উন্নত কার্যকরী উপাদান DOI: 10.1002/adfm।201502265
জ্বালানী সেল
একটি নতুন ফটোসিন্থেটিক মাইক্রোবায়াল ইন্ধন সেল (পিএমএফসি) ব্যবহার করে দ্রবীভূত বর্জ্য জল থেকে ব্যয়বহুল ক্লোরেলা বায়োমাস উত্পাদন
জল গবেষণাhttp://dx.doi.org/10.1016/j.watres।2016.11.016
ডাবল চেম্বার মাইক্রোবায়াল ফুয়েল সেলে সিম্পল্যান্ট Cr (((VI) রিডাকশন এবং জৈববিদ্যুৎ উৎপাদন
রাসায়নিক প্রকৌশল জার্নালhttps://doi.org/10.1016/j.cej.2017.11.144
সোলার সেল
সৌর ও যান্ত্রিক শক্তি সংগ্রহ ও সঞ্চয় করার জন্য একটি নমনীয় স্ব-চার্জ পাওয়ার প্যানেল
ন্যানো এনার্জিhttps://doi.org/10.1016/j.nanoen।2019.104082
ইলেক্ট্রোলাইট ইঞ্জিনিয়ারিংয়ের মাধ্যমে সিডিএস কোয়ান্টাম ডট-সেনসিটিভাইজড সোলার সেলগুলির দক্ষতা বৃদ্ধি
ন্যানো এনার্জিhttp://dx.doi.org/10.1016/j.nanoen।2014.09.034
Li-s ব্যাটারি
উচ্চ স্থিতিশীল সুলফার ক্যাথোডের জন্য একটি স্মার্ট ব্লকিং স্তর হিসাবে একটি সলিড ইলেক্ট্রোলাইট ইন্টারফেসের সহজ গঠন
উন্নত উপাদান DOI: 10.1002/adma।201700273
সোডিয়াম-আয়ন ব্যাটারি
ট্রাইডিমাইট/কার্বন রিঅ্যাক্টরগুলিতে সালফাইডকে ক্যাপসুল করা উচ্চ প্রাথমিক কুলম্বিক দক্ষতার সাথে স্থিতিশীল সোডিয়াম আইওন রূপান্তর / অ্যালোয়িং অ্যানোডকে 89% এরও বেশি সক্ষম করে
উন্নত কার্যকরী উপাদানhttps://doi.org/10.1002/adfm।202009598
হাই পারফরম্যান্স সোডিয়াম ব্যাটারির জন্য কয়লা টার পিচ থেকে এন-ডোপড পোরাস কার্বন ন্যানোফিল্ডের পুনর্ব্যবহারযোগ্য গলিত-লবণ-সহায়তাযুক্ত সংশ্লেষণ
রাসায়নিক প্রকৌশল জার্নালhttps://doi.org/10.1016/j.cej.2022.140540
জিংক-আয়ন ব্যাটারি জিংক-আয়ন ব্যাটারি
জিংক ডিপজিশন মডুলেশন এবং সাইড রিঅ্যাকশন দমনের জন্য দ্বি-ফাংশনাল ডাইনামিক অ্যাডাপ্টিভ ইন্টারফেজ পুনরায় কনফিগারেশন
এসিএস ন্যানোhttps://doi.org/10.1021/acsnano.3c04155
মাল্টিরেডক্স সেন্টারগুলিকে একীভূত করে অর্গানিক/অর্গানিক ক্যাথোডের উপর ভিত্তি করে উচ্চ-কার্যকারিতা জলীয় জিংক ব্যাটারি
উন্নত উপাদানhttps://doi.org/10.1002/adma।202106469
ইঞ্জিনিয়ারিং পলিমার আঠালো উচ্চ-কার্যকারিতা Zn-Ion ব্যাটারি তৈরির জন্য 90% জিংক ব্যবহারের জন্য 1000 ঘন্টা
উন্নত কার্যকরী উপাদানhttps://doi.org/10.1002/adfm।202107652
ভিডিও
ভিডিও
ভিডিও
ভিডিও
ভিডিও
